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據(jù)WSTS**公布數(shù)據(jù)顯示，2024年全球半導(dǎo)體銷售額同比增長19.7%至6,305億美元，在人工智能推動下，預(yù)測2030年的增長將達(dá)到1萬億美元。
隨著芯片內(nèi)部三維結(jié)構(gòu)（如Chiplet堆疊、混合鍵合）日益復(fù)雜，三維集成技術(shù)的根本性突破正驅(qū)動半導(dǎo)體制造變革。
傳統(tǒng)檢測無法精準(zhǔn)定位微米級缺陷（如TSV通孔空洞、焊球裂紋），納米級3D無損檢測技術(shù)成為先進(jìn)制造提升良率、避免千萬級損失的關(guān)鍵。
日聯(lián)科技
納米級開管3D/CT檢測裝備
以“AI+X-ray”賦能
助力檢測更清晰、更精準(zhǔn)、更便利
讓缺陷，立見于納米間
日聯(lián)科技 AX9500——多模式工業(yè)CT設(shè)備，創(chuàng)新融合開放式射線源無損穿透技術(shù)與 AI 智能檢測系統(tǒng)，具備 多模態(tài)高效取像能力。
該設(shè)備專為精密半導(dǎo)體檢測打造，通過三維無損掃描與高精度斷層成像，精準(zhǔn)捕捉并識別晶圓級及先進(jìn)封裝中的晶圓凸塊橋接、芯片冷焊、MEMS制造空洞等關(guān)鍵缺陷，有效破解行業(yè)高難度缺陷檢測瓶頸。
納米級開管
160kV高穿透
3D封裝中射線需穿透數(shù)十層堆疊結(jié)構(gòu)（總厚度可達(dá)數(shù)毫米），低能量X射線無法穿透高密度區(qū)域（如銅互連層）。
160kV輕松穿透多層異質(zhì)材料（如硅、銅等高密度材料），深度透視內(nèi)部信息，捕捉內(nèi)部缺陷。
2000X超級放大
隨著半導(dǎo)體技術(shù)革新，關(guān)鍵缺陷尺寸向亞微米級量化，清晰成像此類缺陷要求CT系統(tǒng)的空間分辨率達(dá)納米級。
日聯(lián)科技自研開放式射線源，分辨率達(dá)0.8 μm，納米焦點輕松鎖定TSV（硅通孔）空洞、芯片冷焊微裂紋等缺陷。
多模式取像
4 IN ONE
精度、效率、穿透深度、缺陷覆蓋構(gòu)成了半導(dǎo)體無損檢測的四面體式技術(shù)挑戰(zhàn)，任何單一成像模式至多滿足其中兩項。
錐束CT
平面CT
2.5D取圖
2D取圖
裝備擁有多達(dá)4種取像模式（2D、2.5D、錐束CT、平面CT），每種取像模式可以設(shè)置不同的分辨率、成像角度以及射線功率，滿足客戶不同應(yīng)用場景的需求。
日聯(lián)AI檢測大模型
日聯(lián)科技作為工業(yè)X射線檢測領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，自2013年起即布局人工智能技術(shù)，致力于通過AI推動行業(yè)變革。
AI圖像實時增強(qiáng)
日聯(lián)研究院自主研發(fā)的UEX算法，包含有：多重曝光圖像合成算法、明/暗度及對比度實時調(diào)整算法等圖像增強(qiáng)算法。
優(yōu)化前
優(yōu)化后
基于AI的圖像清晰度優(yōu)化算法打造，實時增強(qiáng)2D和2.5D圖像，優(yōu)化圖像細(xì)節(jié)（可30毫秒快速處理一張1536X1536像素的圖像)。
AI缺陷自動測算
基于數(shù)十年的行業(yè)積累，日聯(lián)科技檢測集成工業(yè)檢測專用大數(shù)據(jù)庫，軟件成熟度高。
自研的圖像處理算法，可對目標(biāo)圖像進(jìn)行缺陷識別及缺陷面積計算, 0.5s即可完成一次AI氣泡率檢測。
當(dāng)3D封裝走向千層堆疊
日聯(lián)科技以AI賦能納米CT 穿透高精密半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)迷宮
用數(shù)據(jù)智算優(yōu)化人工判讀 驅(qū)動工藝躍遷
以“零缺陷預(yù)控”重構(gòu)制造范式
日聯(lián)科技 智能3D/CT
實力見證
未來，已來
了解更多日聯(lián)科技X-ray檢測裝備信息可以撥打全國服務(wù)熱線：400-880-1456 或訪問日聯(lián)科技官網(wǎng)：nxgyjt.com
